1樓：細細_2偳
微控制器的時鐘源可以分為兩類：基於機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；rc（電阻、電容）振盪器。一種是皮爾斯振盪器配置，適用於晶振和陶瓷諧振槽路。
另一種為簡單的分立rc振盪器。 基於晶振與陶瓷諧振槽路的振盪器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度係數。rc振盪器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓範圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%範圍內變化。
但其效能受環境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振盪器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。
具有高q值的晶振對放大器的選擇並不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。影響振盪器工作的環境因素有：電磁干擾（emi）、機械震動與衝擊、濕度和溫度。
這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，並且在有些情況下，還會造成振盪器停振。 上述大部分問題都可以通過使用振盪器模組避免。這些模組自帶振盪器、提供低阻方波輸出，並且能夠在一定條件下保證執行。
最常用的兩種型別是晶振模組和整合rc振盪器（矽振盪器）。晶振模組提供與分立晶振相同的精度。矽振盪器的精度要比分立rc振盪器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。
選擇振盪器時還需要考慮功耗。分立振盪器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。cmos放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。
比如，hc04反相器閘電路的功率耗散電容值是90pf。在4mhz、5v電源下工作時，相當於的電源電流。
相比之下，晶振模組一般需要電源電流為10ma ~60ma。矽振盪器的電源電流取決於其型別與功能，範圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可程式設計器件的幾個毫安。一種低功率的矽振盪器，如max7375，工作在4mhz時只需不到2ma的電流。滿意。
2樓：郭天祥老師
郭天祥-晶振的原理和應用解讀 晶振的組成，內部結構，晶振的符號和等效電路，有源晶振，無源晶振的區別，晶振的典型應用電路。
這個讀卡器裡面晶振之間的電阻是多大的？
3樓：匿名使用者
這兩個電容叫晶振的負載電容，分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十皮發。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般訂購晶振時候供貨方會問你負載電容是多少。
晶振的負載電容=[(cd*cg)/(cd+cg)]+cic+△c式中cd,cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，cic（積體電路內部電容）+△c（pcb上電容）經驗值為3至5pf.
各種邏輯晶元的晶振引腳可以等效為電容三點式振盪器。 晶振引腳的內部通常是乙個反相器， 或者是奇數個反相器串聯。 在晶振輸出引腳 xo 和晶振輸入引腳 xi 之間用乙個電阻連線， 對於 cmos 晶元通常是數 m 到數十 m 歐之間。
很多晶元的引腳內部已經包含了這個電阻， 引腳外部就不用接了。 這個電阻是為了使反相器在振盪初始時處與線性狀態， 反相器就如同乙個有很大增益的放大器， 以便於起振。 石英晶體也連線在晶振引腳的輸入和輸出之間， 等效為乙個併聯諧振迴路， 振盪頻率應該是石英晶體的併聯諧振頻率。
晶體旁邊的兩個電容接地， 實際上就是電容三點式電路的分壓電容， 接地點就是分壓點。 以接地點即分壓點為參考點， 振盪引腳的輸入和輸出是反相的， 但從併聯諧振迴路即石英晶體兩端來看， 形成乙個正反饋以保證電路持續振盪。 在晶元設計時， 這兩個電容就已經形成了， 一般是兩個的容量相等， 容量大小依工藝和版圖而不同， 但終歸是比較小， 不一定適合很寬的頻率範圍。
外接時大約是數 pf 到數十 pf, 依頻率和石英晶體的特性而定。 需要注意的是： 這兩個電容串聯的值是併聯在諧振回路上的， 會影響振盪頻率。
當兩個電容量相等時， 反饋係數是 , 一般是可以滿足振盪條件的， 但如果不易起振或振盪不穩定可以減小輸入端對地電容量， 而增加輸出端的值以提高反饋量。 在這裡不能畫圖， 不知道敘述是否清楚。
一般晶元的 data sheet 上會有說明。
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