1樓：瀛洲煙雨
鍍膜機光控原理是：利用電子或高能雷射轟擊靶材，並使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，並且最終沉積在基片表面，經歷成膜過程，最終形成薄膜。
監控方法：在鍍膜過程中，膜層厚度增加後，其透過率或者反射率跟著變化，當到達極值點時其光學厚度為監控波長的1/4，利用這個控制膜厚。晶控法監控膜厚的原理 為利用石英晶體振動頻率與其質量成反比的原理，通過儀表監控頻率控制膜厚的。
2樓：匿名使用者
30/50/75w光源經直流穩壓電源穩壓,使光源強度保持不便,在光源前加乙個由同步電機帶動的截光片,使光線有時通過,有時通不過,截光頻率為每秒300次,因此光源變成了300r/s的交流光源，再經過聚光鏡進入單色儀的入射狹縫，經過稜鏡將白光分成單色光線，然後通過出射狹縫射出，得到單色光，通過鼓輪轉動稜鏡調節單色光波長，由出射狹縫出來的光線被光電倍增管接收，將光訊號轉換為電訊號，再經過選頻放大後以電流計指示。
在鍍膜過程中，隨介質膜厚度的增加，在1/4波長和其整數倍的厚度時，其反射光和透射光強度陸續出現極大值和極小值，利用這種原理來控制膜厚的方法叫極值法控制。
3樓：
原理吧,就光學的那幾個原理,監控吧,雖然都是監控,但具體說的話又有很多不同之處.
還是找本書自己看吧 ,這問題幾句話說不清楚.
4樓：朱在江湖
什麼光控，是光學膜的厚度監控麼？
5樓：
從光控的光單色性上來說，分單波長監控、雙波長監控和寬光譜監控。
以下僅簡單介紹最廣泛的單波長監控，（單色光**可以是雷射，或是白光+單色儀分光），詳細了解還是要去看書查資料。
由光學薄膜的基本原理可知，在鍍膜過程中，單色光經由光控片的透過光或反射光光量值將隨著膜層厚度的增加而發生類似余弦變化。鍍膜過程將停止在預先設定好的光量位置如轉折點（極值法，適合鍍窄帶等規整膜系，也有變波長極值法）或其他位置（定值法、ab法等）。
從光控監測位置看，又分間接監控和直接監控。
所謂間接監控，最常見到的，監控片放在中心，且固定不動。
所謂直接監控，監控片放在工件架上，隨工件架一起運動，監控片可以是產品自身。
直接監控早已有之，2023年左右的dwdm鍍膜機，間接與直接的結合。
這些年，對頻寬略寬的窄帶需求增長，催生了直接監控的進一步發展。
國內真空鍍膜優秀膜厚控制方案提供商，膜林科技。
真空鍍膜機光學原理
6樓：匿名使用者
問題太籠統，如果是說真空鍍蒸鍍原理，是pvd沉降發的一種。
先把問題講清。
7樓：
應該是真空鍍膜機原理，沒有什麼光學原理。因為真空鍍膜可以應用到很廣的範圍，鍍制光學薄膜只是很窄的一部分應用。真空鍍膜機是利用物理氣相沉積（pvd)技術進行鍍膜。
8樓：匿名使用者
不太清楚，不過可以諮詢下振華真空。他們家2023年就成立了，我們公司的真空鍍膜產品也是從他家買的。質量還不錯
真空鍍膜機，如何操作！原理是什麼？
9樓：桃知君丶小尾巴
原理大概就是通過機械幫浦，羅茨幫浦，把爐子內空氣抽空讓他形成真空。然後通過電子束加熱膜料，讓他蒸發，貼附在爐頂勻速旋轉的傘架上的貨件上面。 忘的差不多了。
10樓：匿名使用者
這個都說的清楚是不是不用請師傅了，看說明書是做不出產品的
真空鍍膜機的原理
11樓：袁悠夏凡波
一、電控櫃的操作
1.開水幫浦、氣源
2.開總電源
3.開維持幫浦、真空計電源，真空計檔位置v1位置，等待其值小於10後，再進入下一步操作。約需5分鐘。
4.開機械幫浦、予抽，開渦輪分子幫浦電源、啟動，真空計開關換到v2位置，抽到小於2為止，約需20分鐘。
5.觀察渦輪分子幫浦讀數到達250以後，關予抽，開前機和高閥繼續抽真空，抽真空到達一定程度後才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達2×10-3以後才能開電子槍電源。
二、def-6b電子槍電源櫃的操作
1.總電源
2.同時開電子槍控制ⅰ和電子槍控制ⅱ電源:按電子槍控制ⅰ電源、延時開關，延時、電源及保護燈亮，三分鐘後延時及保護燈滅，若後門未關好或水流繼電器有故障，保護燈會常亮。
3.開高壓，高壓會達到10kv以上，調節束流可到200ma左右，簾柵為20v/100ma，燈絲電流1.2a，偏轉電流在1~1.7之間擺動。
三、關機順序
1.關高真空表頭、關分子幫浦。
2.待分子幫浦顯示到50時，依次關高閥、前級、機械幫浦，這期間約需40分鐘。
3.到50以下時，再關維持幫浦。
12樓：匿名使用者
說來話長，簡單點的話就是：陰極被激發的電子在電場作用下加速飛向襯底基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和二次電子，二次電子飛向襯底基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在襯底上形成薄膜。
二次電子在加速飛向襯底的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面做圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷地與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞後二次電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，
最終沉積在襯底上
13樓：匿名使用者
你這問題太大了。。。。
簡單的話就是把膜料弄到基底上。這裡就包括濺射、用電子槍打等方式不同的鍍膜機是不同的。
真空的目的是讓分子的平均自由程更大，就是避免膜料分子不會碰到空氣分子。
14樓：匿名使用者
主要利用輝光放電(glow discharge)將氬氣(ar)離子撞擊靶材(target)表面, 靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。
下列固態物質皆可為靶材 (target) ：任何常溫固態金屬 ( 銅、鋁、鈦 )固態非金屬 ( 石墨 , 氧化矽 ( sio2 )合金 ( 不鏽鋼 （ sus )金屬氧化物 ( 氧化鈦、氧化銦 ) 。
注：一般金屬鍍膜大都採用直流（dc）濺鍍，而不導電的陶瓷材料則使用rf交流
光控時控器的工作原理是什麼？能起到節能效果嗎？
真空鍍膜機工作原理
15樓：凱德利冷水機廠
學習啦,原來知道了解直空鍍膜機降溫問題解決方案,重新有更新認識!
16樓：匿名使用者
真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，mbe分子束外延，pld雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。
需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。
蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，並且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。 對於濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能雷射轟擊靶材，並使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，並且最終沉積在基片表面，經歷成膜過程，最終形成薄膜。
典型的真空鍍膜，包括了錄影帶，資料磁帶dat，以及很多電極的製作過程。
真空鍍膜原理是什麼？
17樓：___耐撕
真空鍍膜原理：
1、物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。
2、化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上製出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有cvd和pvd兩者特點的等離子化學氣相沉積等。
18樓：張樺小錦
蒸發鍍膜
通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由m.法拉第於2023年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜裝置結構如圖1。
蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。
薄膜厚度可由數百埃至數微公尺。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間（或決定於裝料量），並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜，常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。
從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.
2電子伏。
編輯本段型別
蒸發源有三種型別。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質（圖1[蒸發鍍膜裝置示意圖]
）電阻加熱源主要用於蒸發cd、pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料；②高頻感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質；③電子束加熱源：適用於蒸發溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發。
蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。
為沉積高純單晶膜層，可採用分子束外延方法。生長摻雜的gaalas單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖
]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長速度可控制在1單層/秒。
通過控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光整合器件和各種超晶格結構薄膜。
編輯本段濺射鍍膜
用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量並逸出表面，沉積在基片上。濺射現象於2023年開始用於鍍膜技術，2023年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。常用的二極濺射裝置如圖3[ 二
極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料製成板材──靶,固定在陰極上。基片置於正對靶面的陽極上,距靶幾厘公尺。
系統抽至高真空後充入 10～1帕的氣體（通常為氬氣），在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏範圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。
與蒸發鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射w、ta、c、mo、wc、tic等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法，即將反應氣體 (o、n、hs、ch等)加入ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反應生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉積在基片上。沉積絕緣膜可採用高頻濺射法。
基片裝在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過匹配網路和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源後，高頻電壓不斷改變極性。
等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由於電子遷移率高於正離子，絕緣靶表面帶負電，在達到動態平衡時，靶處於負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持續進行。採用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近乙個數量級。
編輯本段離子鍍
蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。這種技術是d.麥托克斯於2023年提出的。
離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。一種離子鍍系統如圖4[離子鍍系統示意圖],將基片臺作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體（如氬）以產生輝光放電。從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。
正離子被基片台負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子（約佔蒸發料的95%）也沉積在基片或真空室壁表面。電場對離化的蒸氣分子的加速作用（離子能量約幾百～幾千電子伏）和氬離子對基片的濺射清洗作用，使膜層附著強度大大提高。
離子鍍工藝綜合了蒸發（高沉積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，並有很好的繞射性，可為形狀複雜的工件鍍膜。
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