1樓：江西國材科技****
矽片的製作通常包括以下主要工藝流程：
1. 單晶矽生長：通過化學氣相沉積（cvd）或單晶矽浮區法等方法，在高溫下將矽材料以單晶形式生長出來。這一步驟產生的單晶矽塊被稱為矽錠。
2. 矽錠切割：將矽錠使用切割機械或切割工藝切割成薄而平坦的圓盤形矽片。常見的矽片直徑包括2英吋（公釐英吋（公釐英吋（公釐英吋（公釐）和12英吋（公釐）。
3. 襯底清洗和調平：對矽片進行清洗，以去除表面的汙染物和雜質。然後進行調平處理，以使矽片表面平整度達到要求。
4. 氧化層形成：通過將矽片置於高溫氧化爐中，使其與氧氣反應，形成一層氧化矽（sio2）燃培兆薄膜。氧化層可用於保護矽片表面和實現絕緣等功能。
5. 光刻：使用光刻技術，在矽片表面塗覆光刻膠，並通過光刻機將特定圖案的光投射到光刻膠上。隨後，進行顯影處理，將光刻膠中未**的區域去除，形成光刻膠圖案。
6. 腐蝕和刻蝕：使用化學腐蝕或物理刻蝕技術，將未被光刻膠保護的矽片表面部分進行腐蝕或刻蝕，以形成特定的結構和器件。
7. 摻雜和擴散：在中做矽片表面或特定區域進行摻雜，通過離子注入或擴散等方法引入雜質，以調整矽片的導電效能和器件特性。
8. 金屬薄膜沉積皮租：在矽片表面沉積金屬薄膜，通常通過物理氣相沉積（pvd）或化學氣相沉積（cvd）等技術實現。金屬薄膜可用於電極、連線和聯結器等器件結構。
9. 裂解：通過特定工藝，對矽片進行裂解或分割，將大尺寸矽片切割成更小的矽片或晶圓，以供後續器件製備使用。
10. 清洗和檢驗：對矽片進行清洗，去除殘留的雜質和汙染物。進行質量檢驗，確保矽片的質量和效能符合要求。
11. 包裝和封裝：對矽片進行適當的包裝和封裝，以保護矽片表面和結構，並方便後續的儲存和運輸。
2樓：智花丶
矽片的等級：
mg-si → seg-si → sog-si
提煉要經過一下過程：純肆。
石英砂→冶族褲含金級矽→提煉和精煉→沉積多晶矽錠→單晶矽→矽片切割。
冶金級矽mg-si
提煉矽的原始材料是sio2，主要是砂成分，目前採用sio2的結晶岩即石灰岩，在大型的電弧爐中用碳還原：sio2+2c→si+2co
定期倒出爐，用氧氣、氧氯混合氣體提純，然後倒入淺槽在槽中凝固，隨後被搗成塊狀。
mg-si提純為seg-si
提煉標準方法為：西門子工。
mg-si被轉變為揮發性的化合物，接著採用分餾的方法將其冷凝被提純。
工藝程式：用hcl把細碎兆笑的mg-si變成流體。
使用催化劑加速反應進行：si+3hcl→sihcl3+h2
mg-si →sihcl3 矽膠工業原材料。
為提取mg-si可加熱混合氣體使sihcl3 被h2還原，矽以細晶粒的多晶矽形成沉積到電加熱棒上如右：sihcl3+h2 →si+3hcl
seg-si提純到sog-si
將seg-si多晶矽熔融，同時加入器件所需的微量參雜劑，通常採用硼（p型參雜劑）。
在溫度可以精細控制的情況下用籽晶能夠成熔融的矽中拉出大圓柱形的單晶矽棒。直徑過125cm長度為1~2m。
手工錄入，忘，有追問亦可。
矽鋼片生產流程和工序?
3樓：
親，您好，很高興為您解答：矽鋼片生產流程和工序？答：
親親，您好 ,矽鋼片生產流程和工序：冷軋取向矽鋼工藝流程→ 一次冷軋→ 中間退火→ 二次冷派手純軋→ 脫炭退火塗隔離層→ 罩式爐高溫退火→ 熱平整塗絕緣層→ 縱切（或橫切）→ 包裝脫炭退火塗隔離層矽鋼片，它是一種含碳極低的矽鐵軟磁合金，一般含矽量為。加入矽可提高鐵的電阻率和最大磁導率，降低矯頑力、鐵芯損耗和磁時效。
矽鋼片的塵咐生產由於工藝複雜、工藝視窗窄，生產難度大，被譽為鋼鐵產品中的工藝品，特別是取向矽鋼片。感謝您的耐薯凱心等待。以上是我的全部回覆如果對我的服務滿意，請給個贊哦，再次祝您事事順心！
平安喜樂！<>
關於矽片製作的過程
4樓：老吳愛吃魚
矽片製作分為七步驟。
1、 矽棒粘接：用粘接劑對矽棒和碳板進行粘接，以利於牢固的敏昌固定在切割機上和方位角的確定。
2、 切片：主要利用內圓切割機或線切割機進行切割，以獲得達到其加工要求的厚度，x、y方向角，曲翹度的薄矽片。
3、 面方位測定：利用x射線光機對所加工出的矽片或線切割前要加工的矽棒測定其x、y方位角，以保證所加工的矽片源激的x、y方位角符合產品加工要求。
4、 倒角前清洗：主要利用熱鹼溶液和超聲波對已切成的矽片進行表面清洗，以去除矽片表面的粘接劑、有機物和矽粉等。
5、 倒角：用不同的砥石形狀和粒度來加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度等，以減少後續加工過程中可能產生的崩邊、晶格缺陷、處延生長和塗膠工藝中所造成的表面層的厚度不均勻雹拿襪分佈。
6、 厚度分類：為後續的磨片加工工藝提供厚度相對均勻的矽片分類，防止磨片中的厚度不均勻所造成的碎片等。
7、 磨片：去除切片過程中所產生的切痕和表面損傷。
5樓：江西國材科技****
1. 單晶矽生長：首先，通過化學氣相沉積（cvd）或單晶矽浮區法等方法，在高溫下將矽材料以單晶形式生長出來。這一步驟產生的帆嫌單晶矽塊被稱為矽錠。
2. 矽錠切割：矽錠經過機械或者光切割工藝，被切割成圓盤形的矽片。常見的矽片直徑包括2英吋（公釐英吋（公釐英吋（公釐英吋（公釐）和12英吋（公釐）。
3. 調平和拋光：矽片表面不平整，因此需要進行機械或化學機械拋光，以使其表面平整度達到要求。這一敏塵步驟通常涉及多個拋光步驟，以獲得高度平坦的表面。
4. 清洗和去汙：為了保持矽片的純淨性和乾淨度，需要對矽片進行嚴格的清洗和去汙處理。這通常包括化學清洗、去除有機和無機汙染物的處理步驟。
5. 摻雜：根據需要，矽片表面可以通過離子注入或擴散等方法摻雜特定的雜質，以調整矽片的電學效能和導電特性。這一步驟可以形成pn結構和控制電阻率。
6. 薄膜沉積：在矽片表面上沉積薄膜，例如金屬薄膜、氧化物薄膜、光刻膠等。這些薄膜在製備積體電路和其他半導體器件時發揮重要作用。
7. 圖案化和刻蝕：通過光刻和刻蝕工藝，將特定圖案和結構定義在矽片上態拿手。這些圖案和結構用於製作電路、電晶體和其他微細結構。
8. 檢測和測試：最後，對製備好的矽片進行檢測和測試，以確保其質量和效能符合要求。這包括電性測試、表面質量檢查和外觀檢驗等。
矽片是什麼材料做的
6樓：江西國材科技****
矽片是由單晶矽（silicon）材料製成的。單晶矽是一種高純度的矽材料，具有晶體結構的完整性衝世和一致性。它是半導體行業中最常用的基板材料之一，用於製造積體電路（ic）和其他半導體器件。
單晶矽是通過化學氣相沉積（cvd）或襪頌單晶矽浮區法等方法在高溫下生長出來的。在這個過程中，矽材料以單晶形式生長，形成矽錠。矽錠經過切割、調平、拋光等工藝步驟，最終制成平坦且具有一定厚度的矽片。
矽片具有優異的電學效能和機械性告判鄭能，具有良好的熱導效能、高抗化學腐蝕性和良好的光學特性。這使得矽片成為製備半導體器件和光電子器件的理想基板材料。矽片的尺寸通常以直徑來描述，常見的直徑包括2英吋（公釐英吋（公釐英吋（公釐英吋（公釐）和12英吋（公釐）。
單晶矽/氣化二氧化矽。
7樓：惠企百科
矽埋核畝片是由高純結晶矽為材料製造的圓片，一般作為積體電路和半導體器件的載體。
矽片可分為單晶矽片和多晶矽片。（單晶矽和多晶矽的區別是，當熔融的單質矽凝固時，矽原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果氏團這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶矽。如果這些晶核長成晶面取向彎森不同的晶粒，則形成多晶矽，提一嘴：
多晶矽可作為生產單晶矽的原料哦～）
矽片清洗工藝
8樓：無雅詩
矽片髒了需要清洗，清洗的目的在於清除表面汙染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態，有的以薄膜形式或顆粒形式存在於矽片表面。會導致各種缺陷。
下面我們來看看矽片清洗工藝。
一、物理清洗：物理清洗有三種方法。①刷洗或擦洗：
可除去顆粒汙染和大多數粘在**上的薄膜。②高壓清洗：是用液體噴射**表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。
高壓清洗靠噴射作用，**不易產生劃痕和損傷。但高壓噴射會產生靜電作用，靠調節噴嘴到**的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超聲波清洗：
超聲波聲能傳入溶液，靠氣蝕作用洗掉**上的汙染。但是，從有圖形的**上除去小於 1微公尺顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。
二、化學清洗。化學清洗方法較多，有溶劑萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等）和等離子體法等。其中雙氧水體系清洗方法效果好，環境汙染小。
一般方法是將矽片先用成分比為h2so4:h2o2=5:1或4:
1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性，將有機物分解而除去；用超純水沖洗後，再用成分比為h2o:h2o2:
nh4oh=5:2:1或5:
1:1或7:2:
1的鹼性清洗液清洗，由於h2o2的氧化作用和nh4oh的絡合作用，許多金屬離子形成穩定的可溶性絡合物而溶於水；然後使用成分比為h2o:h2o2:hcl=7:
2:1或5:2:
1的酸性清洗液，由於h2o2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡合性，許多金屬生成溶於水的絡離子，從而達到清洗的目的。
陶瓷製作工藝流程青花瓷的製作工藝流程？謝謝。
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