判斷題鐵磁物質的磁阻小,所以盡可能地將磁通集中在磁路中

2021-03-23 18:46:33 字數 4182 閱讀 2126

1樓:匿名使用者

1、鐵磁物質的磁阻小,所以盡可能地將磁通集中在磁路中。( √)2、磁路歐姆定律可以用來分析和計算磁路。( ×)3、磁動勢的單位是伏特。( ×)

4、氣隙對直流電磁鐵和交流電磁鐵的影響是相同的。( √)

在相等電壓情況下,將一直流電磁鐵接到交流電源上,此時磁路中的磁通將怎樣

2樓:貝倫

您好:直流電磁鐵接到交流電源上,阻抗會增大,電流會減小,激磁不足,磁感應強度會相應減小;因此磁通量會減小,磁力也不足。

3樓:科幻老怪

由於電流方向是變化的,那麼磁路的極性,即磁通的方向也是變化。但是直流電磁鐵對交流來說,其感抗產生的(交流)電阻,可能遠遠大於其直流電阻,尤其直流電磁鐵內部的鐵芯,不僅感抗作用更明顯,而且渦流也不可忽視。所以能否產生多大的交變磁場,或者渦流很快就會使之燒壞。

磁阻的計算公式是什麼

4樓:志鵬真厲害

計算磁阻公式:zm=l/us。

zm表示磁阻,l表示磁路長度;

u表示磁導率,s表示磁路截面積。

永磁體提供磁通,經過軟磁體連線後在空隙處產生磁場。磁路中的總磁通量是守恆的,但在空隙處的磁通密度相對降低,因有部分磁通在非空隙處流失,稱之為漏磁,導致磁路中的磁阻。

5樓:一定做一定

我的回答可以讓你記住:

電路中歐姆定律:電阻r=u電動勢/i電流,而在磁路中類歐姆定律:磁阻rm=f磁動勢/磁通量∅。

電路中的電動勢對應磁路中的磁動勢,電路中的電流對應磁通,電路的電阻對應磁路中的磁阻

6樓:我的__名字

rm=l/μsrm=磁阻l=磁路長度(m)s=截面積(m^2)μ=磁導率(h/m)

7樓:晉漠練以松

理論與實踐均表明,對任何介質施加一磁場h時(該磁場可由外部電流或外部永磁體提供,亦可由永磁體對永磁介質本身提供,由永磁體對永磁介質本身提供的磁場又稱退磁場---關於退磁場的概念,見9

q),介質內部的磁場強度並不等於h,而是表現為h與介質的磁極化強度j之和。由於介質內部的磁場強度是由磁場h通過介質的感應而表現出來的,為與h區別,稱之為介質的磁感應強度,記為b:

b=μ0h+j

(si單位制)

(1-1)

b=h+4πm

(cgs單位制)

磁感應強度b的單位為t,cgs單位為gs(1t=104gs)。

磁阻的基本釋義

8樓:手機使用者

一段磁路的磁位差和磁通量的比值。磁阻由該磁路的幾何形狀、尺寸、材料的磁特性等因素決定。在國際單位制(si)中,磁阻的單位是每亨[利](h)。

圖示一段磁路。它有均勻長方形截面,磁感應線和截面垂直。令截面上的磁通量是φ,磁路兩端的磁位差是um,則這段磁路的磁阻rm定義為

上式也稱作磁路中的歐姆定律。若圖示磁路由同一種材料製成,磁阻rm也可用下式計算

其中a、l分別是該段磁路的截面積和長度(見圖);μ是磁路材料的磁導率。如果材料是非鐵磁物質,一般認為μ等於真空磁導率μ0,是常值,由上式可方便地計算磁阻。如果材料是鐵磁物質,μ不是常數,一般不計算磁阻;磁阻概念只在作定性分析時使用。

磁阻的倒數稱作磁導。在si制中,它的單位是亨利(h)。用λ代表磁導,磁導的定義式便是,

也可用下式計算圖示一段磁路的磁導,式中各符號的意義同前。

磁路的磁導

9樓:小顏

磁阻的倒數稱為磁導bai。du

在磁路中如有一磁通zhi經過若干段磁路,則此各段dao磁路的總磁位降等於各回段磁路上答磁位降之和,每一段磁路的磁位降等於該段磁路的磁阻與磁通的乘積。從而可得總磁阻等於各段磁路的磁阻之和。這種情形與電路中串聯電阻電路的總電阻等於其中各電阻之和相似。

在磁路中如有多個磁路支路併聯,則此各支路的兩端間有同一磁位降。各磁路支路的磁通之和即等於總磁通。從而可得這些併聯支路的總磁導等於此各支路磁導之和。

這種情形與併聯電導電路的總電導等於其中各電導之和相似。

電工中常用鐵磁材料製作鐵心。鐵磁材料的磁導率與其中的磁通密度或磁場強度有關而非恆定值,所以含鐵心的磁路的磁阻也不是恆定值而與其中的磁通或磁位降有關。這就使得磁路分析成為非線性問題。

什麼材料的磁阻最小 請問:那種金屬材料的磁阻最小?

10樓:匿名使用者

磁阻:就是磁通通過磁路時所受到的阻礙作用,用rm表示。磁路中磁阻的大小與磁 路的長度l成正比,與磁路的橫截面積s成反比,並與組成磁路的材料性質有關

磁路的磁阻如何計算,磁阻的單位是什麼?

11樓:月似當時

一段磁路,它有均勻長方形截面,磁感應線和截面垂直。令截面上的磁通量是φ,磁路兩端的磁位差是um,磁阻的單位是每亨[利](h)。磁路的磁阻公式:

兩段磁路串聯時,總磁阻rm是每段磁路的磁阻(rm1和rm2)之和,即rm=rm1+rm2。 例如繼電器的銜鐵斷開時,繼電器鐵芯組成的磁路中串聯有由空氣隙構成的一小段磁路,使整個磁路的磁阻增加。

永磁體提供磁通,經過軟磁體連線後在空隙處產生磁場。磁路中的總磁通量是守恆的,但在空隙處的磁通密度相對降低,因有部分磁通在非空隙處流失,稱之為漏磁,導致磁路中的磁阻。

磁阻由該磁路的幾何形狀、尺寸、材料的磁特性等因素決定。

擴充套件資料

若外加磁場與外加電場垂直,稱為橫向磁阻效應;若外加磁場與外加電場平行,稱為縱向磁阻效應。一般情況下,載流子的有效質量的馳豫時時間與方向無關,則縱向磁感強度不引起載流子偏移,因而無縱向磁阻效應。

磁阻效應主要分為:

1、常磁阻(ordinarymag***oresistance,omr)

對所有非磁性金屬而言,由於在磁場中受到洛倫茲力的影響,傳導電子在行進中會偏折,使得路徑變成沿曲線前進,如此將使電子行進路徑長度增加,使電子碰撞機率增大,進而增加材料的電阻。

2、巨磁阻(giantmag***oresistance,gmr)

所謂巨磁阻效應,是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應,它產生於層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。

當鐵磁層的磁矩相互平行時,載流子與自旋有關的散射最小,材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時,與自旋有關的散射最強,材料的電阻最大。

3、超巨磁阻(colossalmag***oresistance,cmr)

超巨磁阻效應(也稱龐磁阻效應)存在於具有鈣鈦礦(perovskite)abo3的陶瓷氧化物中。其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數個數量級的變化。其產生的機制與巨磁阻效應(gmr)不同,而且往往大上許多,所以被稱為「超巨磁阻」。

12樓:匿名使用者

其中a、l分別是該段磁路的截面積和長度(見圖);μ是磁路材料的磁導率。

2.磁阻的單位是亨利(h)。

3.補充:磁阻(mag***ic reluctance)是指含有永磁體的磁路中的乙個參量。

源於磁路中存在漏磁。利用永磁體來產生一工作磁場時,需要有永磁體、高導磁軟磁體和適當大小的空隙三部分,總稱為磁路。永磁體提供磁通,經過軟磁體連線後在空隙處產生磁場。

磁路中的總磁通量是守恆的,但在空隙處的磁通密度相對降低,因有部分磁通在非空隙處流失,稱之為漏磁,導致磁路中的磁阻。

13樓:匿名使用者

磁阻r=ml/s  m 為磁導率,單位h/m .l長度l和截面積s的單位分別為m和㎡ 磁阻的單位為1/亨(h-1)。

14樓:黃凌峰

r=l/ua(u為磁導率)單位a/wb

磁阻的介紹

15樓:逆夏倪

磁阻(mag***ic reluctance)是指含有永磁體的磁路中的乙個參量。源於磁路中存在漏磁。利用永磁體來產內生一工作磁場時,容需要有永磁體、高導磁軟磁體和適當大小的空隙三部分,總稱為磁路。

永磁體提供磁通,經過軟磁體連線後在空隙處產生磁場。磁路中的總磁通量是守恆的,但在空隙處的磁通密度相對降低,因有部分磁通在非空隙處流失,稱之為漏磁,導致磁路中的磁阻。

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