1樓：匿名使用者
主要區別是金屬的電阻率隨溫度公升高而增大。而半導體的電阻率在低溫、室溫和高溫情況下，變化情況各不相同。
一、金屬電阻率與溫度的關係：
金屬材料在溫度不高，溫度變化不大的範圍內：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ與溫度t(℃)的關係是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1與ρ0分別是t℃和0℃時的電阻率;α是電阻率的溫度係數，與材料有關。
半導體和金屬的電阻率與溫度關係有何差別
2樓：匿名使用者
主要區別是金屬的電阻
率隨溫度公升高而增大。而半導體的電阻率在低溫、室溫和高溫情況下，變化情況各不相同。
一、金屬電阻率與溫度的關係：
金屬材料在溫度不高，溫度變化不大的範圍內：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ與溫度t(℃)的關係是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1與ρ0分別是t℃和0℃時的電阻率;α是電阻率的溫度係數，與材料有關。錳銅的α約為1×10-1/℃(其數值極小)，用其製成的電阻器的電阻值在常溫範圍下隨溫度變化極小，適合於作標準電阻。
已知材料的ρ值隨溫度而變化的規律後，可製成電阻式溫度計來測量溫度。
二、半導體電阻率與溫度的關係：
決定電阻率溫度關係的主要因素是載流子濃度和遷移率隨溫度的變化關係。
在低溫下：由於載流子濃度指數式增大（施主或受主雜質不斷電離），而遷移率也是增大的（電離雜質散射作用減弱之故），所以這時電阻率隨著溫度的公升高而下降。
在室溫下：由於施主或受主雜質已經完全電離，則載流子濃度不變，但遷移率將隨著溫度的公升高而降低（晶格振動加劇，導致聲子散射增強所致），所以電阻率將隨著溫度的公升高而增大。
在高溫下：這時本徵激發開始起作用，載流子濃度將指數式地很快增大，雖然這時遷移率仍然隨著溫度的公升高而降低（晶格振動散射散射越來越強），但是這種遷移率降低的作用不如載流子濃度增大的強，所以總的效果是電阻率隨著溫度的公升高而下降。
3樓：愛我家菜菜
半導體（ semiconductor），指常溫下導電性能介於導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。
半導體是指一種導電性可受控制，範圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。
常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，而矽更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
測金屬導體材料電阻率時,電阻測量系統誤差應為多少
電阻測量的系統誤差要看其接線方法與其結構組成 u i r 但測量中，一般使用外接法，所以i並不是真實值其中i的真實值 i測 u r電壓表內阻 得 電阻誤差 u i測 i真 高溫電阻率測量系統主要是測什麼材料的電阻率？高溫電阻率測量系統主要是測半導體材料 絕緣材料 導電材料的電阻率。高溫電阻率測量系統...
金屬材料的電阻率有以下特點 一般而言，純金屬的電阻率小，合金
b試題分析 電阻 bai率是乙個反du映導體導電性能的物zhi理量dao，是導體材料本身的屬性內，只與材料和溫度容有關。合金的電阻率大，常用來做電阻不做電線 所以a錯誤。純金屬的電阻率小，常用來做導線，合金的電阻率大，常用來做電阻 所以b正確。電阻溫度計是利用金屬的電阻率隨溫度變化，金屬的電阻隨溫度...
各種材料的電阻率都與溫度有關這句話對嗎
1 金屬導體隨溫度公升高，電阻率增大，電阻增大。2 半導體材料，隨溫度公升高，電阻率減小，電阻減小。各種材料的電阻率都與溫度有關,金屬的電阻隨溫度公升高而減小?錯了，金屬導體的電阻是隨溫度的公升高而增大的，並不是減小。因為溫度公升高，使導體內分子的熱運動增大，對自由電子的流動產生的阻力增大，導電性下...