SRAM和DRAM誰功耗大,簡述SRAM和DRAM的區別?

2022-05-26 19:45:05 字數 5116 閱讀 1992

1樓:夜雨o0星辰

sram :靜態ram,不用重新整理,速度可以非常快,像cpu內部的cache,都是靜態ram,缺點乙個記憶體單元需要的電晶體數量多,因而**昂貴,容量不大。

dram:動態ram,需要重新整理,容量大。

具體解釋:

什麼是dram

dram 的英文全稱是'dynamic ram',翻譯成中文就是'動態隨機儲存器'。dram用於通常的資料訪問。我們常說記憶體有多大,主要是指dram的容量。

什麼是 sram

sram的英文全稱是'static ram',翻譯成中文就是'靜態隨機儲存器'。sram主要用於製造cache。

sram與dram的區別只在於乙個是靜態乙個是動態。由於sram不需要重新整理電路就能夠儲存資料,所以具有靜止訪問資料的作用。而dram則需要不停地重新整理電路,否則內部的資料將會消失。

而且不停重新整理電路的功耗是很高的,在我們的pc待機時消耗的電量有很大一部分都來自於對記憶體的重新整理。

2樓:張光一

個人覺得還是從電路上來分析吧,sram的電路設計相當複雜,就算不需要重新整理也是需要持續過電,而dram的電路設計就比較簡單,而且其實dram還是比較難得出乙個平均功耗。以上都是個人看法。

簡述sram和dram的區別? 5

3樓:鍾靈秀秀秀

區別:1、整合功耗:

sram整合度較低,功耗較大。

dram整合度較高,功耗也較低。

2、工作特點:

sram的特點是工作速度快,只要電源不撤除,寫入sram的資訊就不會消失,不需要重新整理電路,同時在讀出時不破壞原來存放的資訊,一經寫入可多次讀出。

dram是動態隨機儲存器(dynamic random access memory),它是利用場效電晶體的柵極對其襯底間的分布電容來儲存資訊,以儲存電荷的多少,即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。dram每個儲存單元所需的場效電晶體較少,常見的有4管,3管和單管型dram。

3、用處:

採用 dram的計算機必須配置動態重新整理電路,防止資訊丟失。dram一般用作計算機中的主儲存器。

sram一般用來作為計算機中的高速緩衝儲存器(cache)。

4樓:靠名真tm難起

2、sram和dram的定址方式也有所不同。雖然通常我們都認為記憶體像乙個長長的陣列呈一維排列,但實際上記憶體是以乙個二維陣列的形式排列的,每個單元都有其行位址和列位址,當然cache也一樣。

而這兩者的不同在於對於容量較小的sram,我們可以將行位址和列位址一次性傳入到sram中,而如果我們對dram也這樣做的話,則需要很多很多根位址線(容量越大,位址越長,位址位數越多)。所以我們選擇分別傳送行位址和列位址到dram中。

先選中一整行,然後將整行資料存到乙個鎖存器中,等待列位址的傳送然後選中所需要的資料。這也是為什麼sram比dram快的原因之一。

3、從名字上看,sram與dram的區別只在於乙個是靜態乙個是動態。由於sram不需要重新整理電路就能夠儲存資料,所以具有靜止訪問資料的作用。而dram則需要不停地重新整理電路,否則內部的資料將會消失。

5樓:烊是千璽的烊

1、保持的時間不一樣:sram只要保持通電,裡面儲存的資料就可以恆常保持。dram只能將資料保持很短的時間。

所以必須隔一段時間重新整理(refresh)一次,如果儲存單元沒有被重新整理,儲存的資訊就會丟失。

2、體積不一樣:相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積,但是sram卻需要很大的體積。

3、**不一樣:同樣面積的矽片可以做出更大容量的dram,因此相比之下sram就顯得更貴。

4、速度不一樣:sram利用電晶體來儲存資料,與dram相比,sram的速度快。一般用小容量的sram作為更高速cpu和較低速dram 之間的快取。

6樓:露雲娜美

sram是英文static ram的縮寫,它是一種具有靜止訪問功能的記憶體,不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。不像dram記憶體那樣需要重新整理電路,每隔一段時間,固定要對dram重新整理充電一次,否則內部的資料即會消失,因此sram具有較高的效能,但是sram也有它的缺點,即它的整合度較低,相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積,但是sram卻需要很大的體積,所以在主機板上sram儲存器要佔用一部分面積

優點,速度快,不必配合記憶體重新整理電路,可提高整體的工作效率。

缺點,整合度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且**較高,少量用於關鍵性系統以提高效率。

dram(dynamic random-access memory),即動態隨機儲存器最為常見的系統記憶體。dram 只能將資料保持很短的時間。為了保持資料,dram使用電容儲存,所以 必須隔一段時間重新整理(refresh)一次,如果儲存單元沒有被重新整理,儲存的資訊就會丟失。

相對於sram,為什麼說dram需要更多的電能,但是功耗卻小。

7樓:匿名使用者

sram :靜態ram,不用重新整理,速度可以非常快,像cpu內部的cache,都是靜態ram,缺點乙個記憶體單元需要的電晶體數量多,因而**昂貴,容量不大。

dram:動態ram,需要重新整理,容量大。

具體解釋:

什麼是dram

dram 的英文全稱是'dynamic ram',翻譯成中文就是'動態隨機儲存器'。dram用於通常的資料訪問。我們常說記憶體有多大,主要是指dram的容量。

什麼是 sram

sram的英文全稱是'static ram',翻譯成中文就是'靜態隨機儲存器'。sram主要用於製造cache。

sram與dram的區別只在於乙個是靜態乙個是動態。由於sram不需要重新整理電路就能夠儲存資料,所以具有靜止訪問資料的作用。而dram則需要不停地重新整理電路,否則內部的資料將會消失。

而且不停重新整理電路的功耗是很高的,在我們的pc待機時消耗的電量有很大一部分都來自於對記憶體的重新整理。

8樓:匿名使用者

sram 靜態,不需要重新整理。整合度低,速度快。dram需要重新整理,不斷給電容充電,需要更多的電能。

sram和dram晶元有何區別

9樓:匿名使用者

sram比dram更快,但也貴很多。sram用來作為快取記憶體儲存器,既可以在cpu上,回也可以不在cpu上。dram用來作為主存答以及圖形系統的幀緩衝區。

乙個桌面系統的sram不會超過幾兆位元組,但是dram卻有幾百兆位元組或幾千兆位元組。

sram將每個位儲存在乙個雙穩態的儲存器單元裡。每個單元是用乙個六電晶體電路來實現的,它可以無限期地保持在兩個不同的電壓配置或狀態之一。其他任何狀態都是不穩定的。

由於它的雙穩態特性,只要有電,它就會永遠地保持它的值。

dram將每個位儲存為對電容的充電。dram儲存器單元對干擾非常敏感,當電容的電壓被擾亂之後,它就永遠不會恢復了。

總結來說,只要有電,sram就是持續的,與dram不同,它不需要持續重新整理。sram的訪問比dram快。sram對諸如光和電噪音這樣的干擾不敏感,代價是sram單元比dram單元使用更多的電晶體,因而沒那麼密集,而且更貴,功耗更大。

摘自 深入理解計算機系統 中國電力出版社,純手打,正好在複習這個地方。

10樓:匿名使用者

xram已上市,幹嘛要用sram,**貴得離譜,

xram效能很強大,資料讀取速度與sram差不多,容量大,自重新整理,內相容dram,sram界面容。成本比sram便宜很多。

台灣hc半導體開發最強利器xram,已開始全面替換sram。

11樓:颯露紫

sram比baidram更快,但也貴很多。sram用來作du為快取記憶體儲存器,既可以在zhicpu上,也可以不在daocpu上。dram用來作專為主存以及圖形屬系統的幀緩衝區。

乙個桌面系統的sram不會超過幾兆位元組,但是dram卻有幾百兆位元組或幾千兆位元組。

sram將每個位儲存在乙個雙穩態的儲存器單元裡。每個單元是用乙個六電晶體電路來實現的,它可以無限期地保持在兩個不同的電壓配置或狀態之一。其他任何狀態都是不穩定的。

由於它的雙穩態特性,只要有電,它就會永遠地保持它的值。

dram將每個位儲存為對電容的充電。dram儲存器單元對干擾非常敏感,當電容的電壓被擾亂之後,它就永遠不會恢復了。

總結來說,只要有電,sram就是持續的,與dram不同,它不需要持續重新整理。sram的訪問比dram快。sram對諸如光和電噪音這樣的干擾不敏感,代價是sram單元比dram單元使用更多的電晶體,因而沒那麼密集,而且更貴,功耗更大。

摘自 深入理解計算機系統 中國電力出版社,純手打,正好在複習這個地方,希望對你有幫助。

dram需要不斷給電容充電,為什麼功耗卻比sram還要小?

12樓:匿名使用者

很簡單,因為sram的工藝很難做到大容量...就比如現在的記憶體動輒4g一條 8g一條 如果用sram 估計要一台筆記本的大小才能做到 單位面積的功耗確實更低 但是換算成單位容量 則會大太多。

計算機的dram和sram是什麼 有什麼區別

13樓:靈魂藝術家丶

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sram和dram晶元有何區別?

14樓:匿名使用者

sram比dram更快,但也貴很多。sram用來作為快取記憶體儲存器,既可以在cpu上,也可以不在cpu上。dram用來作為主存以及圖形系統的幀緩衝區。

乙個桌面系統的sram不會超過幾兆位元組,但是dram卻有幾百兆位元組或幾千兆位元組。

sram將每個位儲存在乙個雙穩態的儲存器單元裡。每個單元是用乙個六電晶體電路來實現的,它可以無限期地保持在兩個不同的電壓配置或狀態之一。其他任何狀態都是不穩定的。

由於它的雙穩態特性,只要有電,它就會永遠地保持它的值。

dram將每個位儲存為對電容的充電。dram儲存器單元對干擾非常敏感,當電容的電壓被擾亂之後,它就永遠不會恢復了。

總結來說,只要有電,sram就是持續的,與dram不同,它不需要持續重新整理。sram的訪問比dram快。sram對諸如光和電噪音這樣的干擾不敏感,代價是sram單元比dram單元使用更多的電晶體,因而沒那麼密集,而且更貴,功耗更大。

摘自 深入理解計算機系統 中國電力出版社,純手打,正好在複習這個地方。

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