IGBT單管和MOS管的區別,MOSFET是MOS嗎

2021-08-20 21:13:00 字數 2031 閱讀 6059

1樓:我是乙個麻瓜啊

igbt單管和mos管的區別:

1、從結構來說,以n型溝道為例,igbt與mosfet(vdmos)的差別在於mosfet的襯底為n型,igbt的襯底為p型。

2、從原理上說igbt相當與乙個mosfet和乙個bipolar的組合,通過背面p型層的空穴注入降低器件的導通電阻,但同時也會引入一些拖尾電流等問題。

3、從產品來說,igbt一般用在高壓功率產品上,從600v到幾千伏都有;mosfet應用電壓相對較低從十幾伏到1000左右。

mos就是mosfet的簡稱

2樓:

igbt在結構上是npn行mosfet增加乙個p結,即npnp結構,在原理上是mos推動的p型bjt;

多的這個p層因內有載流子,有電導調製作用,可以使igbt在跟高電壓和電流下,有很低的壓降,因此igbt可以做到很高電壓(目前最大6500v),但由於載流子存在,igbt關斷是電流會拖尾,關斷速度會減低;

mos就是mosfet的簡稱了;

igbt和mos是全控器件,是電壓型驅動,即通過控制柵極電壓來開通或關斷器件;可控矽是半控器件,電流型驅動,即給柵極通一定的電流,可以是可控矽開通,但是一旦開通,就不受柵極控制,將柵極的電壓電流訊號去除,仍然保持開通,只用流過可控矽的電流減小,或可控矽ak兩端加反壓,才能關斷;

igbt和mos頻率可以做到幾十上百khz,但可控矽一般在1khz以內。

mosfet與igbt區別

3樓:匿名使用者

從結構來說,以n型溝道為例,igbt與mosfet(vdmos)的差別在於mosfet的襯底為n型,igbt的襯底為p型;從原理上說igbt相當與乙個mosfet和乙個bipolar的組合,通過背面p型層的空穴注入降低器件的導通電阻,但同時也會引入一些拖尾電流等問題;從產品來說,igbt一般用在高壓功率產品上,從600v到幾千伏都有;mosfet應用電壓相對較低從十幾伏到1000左右;

4樓:匿名使用者

igbt是mosfet與gtr的復合管

igbt和mos管的區別?

5樓:風吹基基揚

焊機用igbt管和mos管的區別

mos管一般用在小功率焊機上,mos管一般特性就是小電流比較穩定,成本低廉,小型號民用機用的比較多。igbt一般用在大功率焊機上,穩定性和頻率比mos管更穩定,只是造價比較高,一般用在工業焊機。

根據焊機結構來說,mos管在逆變電源裡使用數量比較多,單個安數在9-20a,做到較大型號的焊機,400a或者500a的時候使用數量在32-40個,長時間容易出現頻率不齊的問題。igbt一般都是兩個模組,只需要根據焊機型號來選擇模組安數就可以了。肯定是igbt的好用。

igbt是普遍用在工業機型上的元器件,耐壓、電流安數、瓦數都要大很多。

6樓:梁丘鴻遠冒睿

首先乙個從外形上面區別:igbt

絕大多數是to-3p封裝,要大一些。mos管大部分為to220封裝要小一些。(當然不能說絕對)其次如果從元件內部去分析。

一般igbt,裡面是內建有一顆快恢復二極體,而mos管一般沒有。所以igbt一般是有兩個晶圓的,mos只有乙個。可以看電路圖和引數說明。

希望以上可以幫到你。

7樓:匿名使用者

igbt是mos管與大功率電晶體的復合管。它的輸入特性類似mos管而輸出特性類似電晶體。跟mos管一樣都是電壓控制的,擁有高頻和低靜態功耗的特點,但是卻可以跟電晶體一樣應用於大電流條件下

mosfet和igbt的區別

8樓:八維教育

從結構來說,以n型溝道為例,igbt與mosfet(vdmos)的差別在於mosfet的襯底為n型,igbt的襯底為p型;從原理上說igbt相當與乙個mosfet和乙個bipolar的組合,通過背面p型層的空穴注入降低器件的導通電阻,但同時也會引入一些拖尾電流等問題;從產品來說,igbt一般用在高壓功率產品上,從600v到幾千伏都有;mosfet應用電壓相對較低從十幾伏到1000左右.

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