怎麼測量mos管的導通內阻,MOS管的導通電阻真的很重要嗎

2021-10-07 06:34:51 字數 1805 閱讀 6247

1樓:

導通內阻用工具無法測量,但是可以根據以下公式判斷:r=u/i。也即,導通時候電流i可以測量,mos管壓降u可以測量(供電電壓減去負載電壓)。

這個方法是曾經做電機驅動時候的計算方式,但是,導通內阻跟vgs有一定關係,也就是說mos沒有完全導通時候內阻會大,畢竟mos是電壓驅動型器件。

另外手冊上的rds(on)基本上就是該元件典型的內阻,只要完全導通,誤差不很大。

mos管

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。mos管的source和drain是可以對調的,他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的效能。

這樣的器件被認為是對稱的。

2樓:哎呀沃去

電子負載這東西本身就有一定的技術含量,不是那麼方便的.

簡單的說,mos管為核心的電子負載就是相當於乙個pwm控制的電子開關,通過改變占空比,來改變輸出電流的時間長短(也就是單位時間中,mos管導通的比例),以此改變平均電流大小,然後根據中學裡的電阻發熱公式改變熱量大小.

mos管的導通電阻真的很重要嗎

3樓:斜陽紫煙

當然。那是管子產生損耗的一部份。例如導通電阻0.5歐與1歐,在同樣電流下管子損耗就差一倍。需要的散熱裝置就要複雜很多。同時電路效率也差很多。

4樓:醋軍強

導通電阻肯定很重要的,這關乎耗散功率;其他引數一樣重要,選時一併要考慮,如:觸發導通時間、耐壓…

5樓:哎呀沃去

電子負載這東西本身就有一定的技術含量,不是那麼方便的.

簡單的說,mos管為核心的電子負載就是相當於乙個pwm控制的電子開關,通過改變占空比,來改變輸出電流的時間長短(也就是單位時間中,mos管導通的比例),以此改變平均電流大小,然後根據中學裡的電阻發熱公式改變熱量大小.

6樓:匿名使用者

在導通情況下,用萬用表測量電阻值是不准的。根據戴維南定理,二埠網路的電阻是兩個支路電阻的併聯值。因此,要串個萬用表測電流,在導通情況下,再使用另乙個萬用表測量其ds。

電阻等於電壓除以電流。當然,這是簡單測法,更高階的測法,需要得出測試曲線,求得rdson的值、

實在不行換乙個 或者在硬之城上面找找這個型號的資料

7樓:

肯定很重要啊。在導通情況下,用萬用表測量電阻值是不准的。根據戴維南定理,二埠網路的電阻是兩個支路電阻的併聯值。

因此,要串個萬用表測電流,在導通情況下,再使用另乙個萬用表測量其ds。電阻等於電壓除以電流。當然,這是簡單測法,更高階的測法,需要得出測試曲線,求得rdson的值、 實在不行換乙個 或者在硬之城上面找找這個型號的資料

cmos.mos管導通電阻

8樓:匿名使用者

導通電阻的大小是bai

一種非線du性變化,跟zhigs兩端電壓有關,如果daougs=ugs(th)時,一般這個電阻大概有內幾容歐到幾十歐,當ugs=8~10v時,這個電阻會下降到零點幾歐甚至零點幾毫歐,非常小。

這方面屬於半導體物理領域,作為電子工程師需要知道這個特性,但不需要去關心它為什麼這樣,只要會用就可以了。

9樓:天蠍文庫

導通電阻與所加的訊號有關,不是固定的。

10樓:匿名使用者

這個要看cmos工作在什麼狀態,飽和還是線性

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