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esd過程
是處於不同電勢的物體之 間的靜電電荷轉移過程，其強烈程度受電量大小及物體間距的影響。自然界的雷電是強對流氣候下典型的esd現象(圖1)，瞬間所釋放的巨大能 量，能將雷電所經過的空氣電離，使空氣變成阻值很低的導電通道，形成極強的電流和高溫，其破壞力不可小覬。圖1 日常生活中的esd現象頻繁地發生著，雖然沒有大自然中的雷電那麼強烈，但也會有火花式放電，不僅伴有「噼叭」聲響，還會閃閃發光。
寒冷乾燥的冬夜裡，關掉燈脫毛衣時就能真切地感受到這一現象。研究表明，當電壓大於8000v時可以看到esd發出的光亮，當電壓大於6000v時可以聽到esd的放電聲；當電壓大於3000v時可以感覺到有esd發生；而當靜電電壓低於3000v時，也會發生esd過程，只是我們感覺不到。也就是說，很多esd過程是在我們未察覺的情況下，悄無聲息地進行著。
esd對電腦的損害，其嚴重程度與靜電電壓高低和能量大小有關。如果能量較小，則只能將元件擊穿，電壓消失後，器件效能仍能恢復到原始狀態。如果能量較大，在擊穿後接著形成大電流對元件形成永久性損害，如電晶體元件結電阻降低、漏電流增大，薄膜電阻器區域性介質擊穿而發生阻值漂移等。
esd的危害有一定偶然性，不見得每一次都造成元件徹底報廢，多數情況下僅表現為穩定性降低。對於靜電給電子元器件造成的種種「內傷」，人們往往認為是元器件老化，而沒有想到是esd的危害。筆者經歷過許多電腦故障，根本查不出損壞原因，現在想來估計與esd有關。
esd損害的嚴重程度還與元件對靜電的敏感度有關。如今電腦裡的cpu、儲存器晶元和主機板上的南橋、北橋等超大規模積體電路廣泛採用 cmos(復合金屬氧化物半導體)材料，cmos器件具有整合度高、成本低、速度快、能耗低的優點，因此使用範圍很廣。然而，cmos器件的乙個致 命的弱點是靜電敏感度高，很容易被esd擊穿。
esd是電腦故障的罪魁禍首 隨著晶元工藝的進步，晶元的速度和功能都得以提公升，但晶元卻變得更加脆弱。整合度的提高使得器件尺寸越來越小，器件之間的連線 寬度越來越窄，鈍化層越來越薄，這些因素都會使晶元對esd的敏感性增加。乙個不太高的esd電壓就能將電晶體擊穿，乙個不太大的esd電流就 能將連線熔斷。
晶元損壞後，我們從外觀上絲毫看不出有什麼變化，但利用fesem儀器卻可以看清電路熔斷的情形(圖2)。圖2 這種晶元內部的損傷，用肉眼是無法看到的。
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