問:從flash晶元讀取資料的過程是怎樣的?
1樓：pmc技術專家
從flash晶元讀取資料，controller控制flash晶元將該page對應的字線組電勢置為0，其他字線組的電勢則予以公升高。此時每個 cell串的位線所體現的電勢值與待讀出page中所有cell一一對應，由電路將每條位線上的電勢值解碼成1或0傳輸到晶元外，置於ssd的ram buffer儲存，完成乙個page內容的讀出。
希望對你有幫助！
關於flash儲存晶元資料讀取
2樓：養羊
提取flash晶元資料的裝置有幾款，但都很專業，**很高。如果只是把晶元的原始資料讀出來的話，也沒多大作用。
3樓：網友
這種東西要專業人士才有 比如平板開發人員。
flash儲存晶元如何儲存資料的？
4樓：匿名使用者
卡里面有個 記憶體。
跟記憶體差不多。
跟硬碟不一樣。
硬碟其實是 磁碟。
stm32外加了flash晶元(at45db642d)，讀取flash中的資料，通過串列埠發出？
5樓：網友
at45db652d內部是分頁的，您可以按頁來讀取，該flash晶元是spi介面的，建議讀取flash時，使用dma讀取，否則這高速dataflash就看不出高速了。
通過串列埠發出的時候，也是按包來封裝，可以1頁分成若干個若，我們建議串列埠單次連續傳送的資料不要超過256位元組，加上輔助位元組，最好不要超過300位元組。而且需要加上校驗和重發機制。
建議讀流程如下：
1. 上位機將需要的頁號或多個頁號發給stm322. stm32啟動spi操作，逐頁讀取，並採取先進先出的方式儲存在乙個fifo緩衝區中，該緩衝區以頁大小為單位。
3. 通過串列埠拼包發出。
6樓：
stm32系列微控制器，最大的人、ram是128k，最小的只有8k，你乙個陣列就佔用了10k，太浪費了，我建議你一次存128位元組，分次傳送，這樣省記憶體。
初學arm嵌入式，如何理解讀取nandflash的過程？
7樓：糊塗伊人笑
nand flash是通過 ale/cle (高電平有效)來區分資料線上的資料時命令（cle有效），位址（ale有效）還是資料（cle/ale都無效）。
那麼這裡既然是寫命令 那麼就一定是 cle有效（高電平） ale無效（低電平）。
同樣命令既然是寫給nand flash的那麼 肯定有乙個寫週期。我們需要注意的是，寫是在上公升沿有效還是下降沿有效。
1 這裡是命令鎖存是時序，那麼我們要注意的其實就只有 cle 為高電平期間這段時序。（寫命令啊，cle有效時（高電平）指示現在的資料其實命令）ale此時一定為低電平我們可以不關心他。
2 所以，cle為 低電平的時期，其他大部分引腳上都是 灰色的陰影，這代表我們不需要關心這段時期這些引腳的電平。
3 那麼 這個資料是什麼時候被nand flash讀取到的呢， 注意到 nwe訊號 在上公升沿有乙個貫穿所有其他引腳時序的豎線（這好像是叫生命線？我也不清楚）
8樓：小明
你的理解是什麼意思，是每個命令代表什麼。nandflash 讀取要通過連續的向給定位址寫入給定數來完成，你可以理解成這些不同的組合代表不同的指令即可，也有可能這樣做是跟其時序有關。
9樓：
和nor flash不一樣，nand flash的命令，定址和資料都是複用在8條io pin上的。
寫乙個位址要經過多個cycle才能完成，雖然是同樣的pin但是不同的訪問時間，可以讓控制器把訪問分開，拿你上面的**來說，寫乙個位址是4個cycle，nand flash編址比較複雜，建議你找乙個具體的晶元手冊來看。
nfaddr = addr & 0xff; // 分次傳送位址。
nfaddr = ( addr >>9 ) 0xff;
nfaddr = ( addr >>17) &0xff;
nfaddr = ( addr >>25 ) 0x1;
nand flash提供乙個ready輸出，當該pin輸出特定電平時，標明操作完成。
while ( nfstat & 1 ) //等待不忙。
讀資料也是類似的原理，乙個cycle讀若干個bit
flash匯入圖到庫顯示 讀取檔案時出現問題,或者多個檔案沒有匯入
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