1樓：網友
應用高斯胡衫定理。
的原則是要求電荷分佈是對稱的，只要在真空中電介質。
是規則的也就是其電荷對稱分佈的話，此時是能夠用高斯定理的，但對電位移向量陸做配（就是向量d）進行閉合曲面積分，其對應的電荷密度必須是自由電荷密度（因為d已經包含了極化強度p，也就是已經包含了束縛體電荷密度）。
但是你決不可這麼想：用束縛電荷密度密度代替自由電荷密度。
順便可以說下：早指可以證明：在均勻電介質內部要是沒有自由電荷，那麼其束縛體電荷密度是等於0（此時要是用高斯定理得出的電場強度。
e=0了），面束縛電荷可以不為0；在非均勻介質中體和麵束縛電荷都可以不為0，由於不對稱，也就不可以用高斯定理了。
以上的可以是你說的真空中（在其他物質中只是介電常數。
不同），不知道我說清楚了沒，希望對你有用。
2樓：網友
真空中無介質，不會產生極化電荷(即束縛電荷)，故不存在這一說法，應該是介質中的祥亮電場(由自廳宴歷由電荷和極化電荷共同激發)遵循戒指中的介質中的高斯定扮搜律。
真空靜電場的高斯定理是什麼
3樓：啷個理當
靜電場高斯定理含義如下：
高斯定律：在靜電場中，穿過任一封閉曲面的電場強度通量只與封閉曲面內的電荷的代數和有關，且等於封閉曲面的電荷的代數和除以真空中的電容率。
表明在閉合曲面內的電荷分佈與產生的電場之間的關係。靜電場中通過任意閉合曲面（稱高斯面）s 的電通量等於該閉合面內全部電荷的代數和，與面外的電荷無關。
高斯定理源於庫侖定律，依賴於場強疊加原理，只有當電場線密度等於場強大小時場線通量才能與場強通量等同，並統一遵從高斯定理。
高斯面上的實際場強是其內外所有電荷產生的場強疊加而成的合場強。但利用高斯面所求得的場強則僅僅是分析高斯面上場強分佈時所涉及的電荷在高斯面上產生的合場強，而不包含未涉及的電荷所產生的場強。
特別要強調兩點： 電場線的方向和電場線的疏密的規定， 電場線上每一點的切線方向就是該點電場的方向，電場線在某處的疏密要反映電冊凳場強度的大小，即在電場中通過某一點的電場線的數密度卜姿公升等於該點電場強度的大小。
即： e= dn/ds，其中ds是在電場中的某一點取乙個通過該點的且與電場線垂直的微分面，dn就是穿過該面ds的電場線的型老根數。
真空中靜電場的高斯定理公式
4樓：可耐屁
真空中靜電場的高斯定理公式=n（n+1）/2+1，高斯定理也稱為高斯通量理論。
高斯散度定理、高斯－奧斯特羅格拉德斯基公式、奧氏定理或高－奧公式。在靜電學中，表明在閉合曲面內的電荷之和與產生的電場在該閉合曲面上的電通量積分之間的關係。
高斯定律表明在閉合曲面內的電荷分佈與產生的電場之間的關係。 高斯定律在靜電場情況下類比於應用在磁場學的安培定律，而二者都被集中在麥克斯韋方程組中。因為數學上的相似性，高斯定律也可以應用於其它由平方反比律決定的物理量，例如引力或者輻照度。
靜電場：
靜電場，指的是觀察者與電荷量不隨時間發生變化的電荷相對靜止時所觀察到的電場。它是電荷周圍空間存在的一種特殊形態的物質，其基本特徵是對置於其中的靜止電荷有力的作用，庫侖定律描述了這個力。
根據靜電場的高斯定理：靜電場的電場線起於正電荷或無窮遠，終止於負電荷或無窮遠，故靜電場是有源場。從安培環路定理來說它是乙個無旋場。
根據環量定理，靜電場中環量恆等於零，表明靜電場中沿任意閉合路徑移動電荷，電場力所做的功都為零，因此靜電場是保守場。
為什麼高斯面上的電場強度處處為零，則該面內必定沒有淨電荷?
5樓：網友
因為高斯面外部的電荷產生的電場線，穿進高斯面有多少，穿出的就有多少，即外部電荷的電場穿過高斯面的電通量恆為零，因此對高斯面的場強並無任何貢獻，所以只需考慮高斯面內的電荷。
高斯面上電場強度處處為零，能說明面內整個空間的電荷代數和為零。即高斯面一定沒有包圍淨電荷。則面內可以有電荷，只不過電荷的代數和為零。
高斯面內無電荷，只能說明通過高斯面的電通量為零。即穿出和穿入的電場線的數目一樣多。而只要有穿出和穿入的電場線，面上該處的電場強度就不為零。
若高斯面外有一點電荷q，高斯面內無電荷。此時高斯面上電場強度處處不為零，而面內沒有靜電荷。
若在空間有一電偶極子。以正電荷為中心，以正負電荷的距離的一半為半徑做一圓形高斯面。則此高斯面內有淨電荷，但正負電荷的連線與高斯面相交的一點電場強度為零。
6樓：匿名使用者
電場強度跟有沒有電荷沒有必然關係，電場可以在其他地方的電荷激發出來，電場強度為0是應為該面上來自個個地方的電場相互抵消了，向量和為0
7樓：震輝賴樂
高斯面上e為0，則高斯面和麵外都無淨電荷。這句話反著說就是錯的，即面內無淨電荷高斯面上場強不一定為0。因為高斯面面內無淨電荷，則面內電荷在高斯面上場強為0，但是面外非0電荷在高斯上作用場強不為0
闡述真空中靜電場的高斯定理的內容它揭示了靜電場什麼性質？
8樓：大頭寶寶
靜電場的高斯定理和環路定理分別說明電場是有源場和保守場。
在靜電學中，閉合表面上的電荷容量之和與閉合表面上產生的電場通量的積分之間的關係被表示出來。高斯定律說明了封閉表面的電荷分佈與產生的電場之間的關係。
靜電場中的高斯定律類似於磁場中的安培定律，兩者都在麥克斯韋方程組中分組。由於其數學上的相似性，高斯定律也可以應用於由平方反比定律確定的其他物理量，如重力或輻照度。
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