1樓：仇學岺第倩
1:由e與p，d的向量表示式。
就可以知道的，d與e相差乙個介電常數。
故d與e的方向相同，即每一點處的d都是與e同向的，從而d的分佈與e必然也是一樣的；同理，p也與e差乙個常數，分佈也相同。注意對向量表示式含義的理解。
2：「應用高斯定理。
d1+d2)*2*pi
r2=q」，話說這個是不是還少了個介電常數啊，應該是e1和e2吧。
而上下半球的d大小分佈其實是一樣的，記得在介質中時的高斯定理中，d*ds=dq；發現其他在求d的時候，只要q分佈是相同的，那麼介電常數的不同，並不會影響到d，或者換句話，無論在真空中，還是在介質中，d的分佈都不受電常數的影響，就是說，你在介質中計算d時，其實可以像悉鉛兄在真空處理e一樣。受介電常數影響只是場強。
e，因為e等於d除以睜襲介電常數，這正是不同介質中，場強不同原因激辯，也是我們要引入電位移向量d的原因。
不知道清楚沒，要不就坐等大神吧。
2樓：浦榮花娰汝
答案為d。解法：因為是點電荷產生的電場，所以ea和eb的反向漏老延長線焦點即為點電荷所在。
根據角度53求出點電荷橫座標4。所以點電返帶公升荷到a,c,b的距離分別為5,7,5。
所以a,b,c全錯，d正確。
注：電行譁勢是標量，c和b完全等同。
點電荷在真空和介質中產生的電場哪個大
3樓：網友
您好，點電荷在真空和介質中產生的電場大小是不同的。在真空中，點電荷產生的電場大小可以通過庫侖定律計算得到，即電場強度與點電荷大小成正比，與距離的平方成反比。而在介質中，由於介質的存在，點電荷產生的電場會受到介質極化的影響，從而導致電場強度的變化。
介質的極化會使得電場在介質中的傳播速度祥鍵變慢，同時也會使得電場強度變弱。因此，點電荷在介質森巧中產生的電場強度會比在真空中產生的電場強度小。
具此宴鍵體來說，介質的極化會導致介質中的電荷分佈發生變化，從而影響電場的傳播。介質中的分子會受到電場的作用而發生極化，使得分子內部的正負電荷分佈發生變化，從而產生乙個與電場方向相反的極化電場。這個極化電場會與點電荷產生的電場相互作用，從而導致電場強度的變化。
總之，點電荷在介質中產生的電場強度會比在真空中產生的電場強度小。
4樓：甜甜蜜蜜
您好，點電荷在介質中產生的電場比在真空銷巨集中產生的電場要小。這是因為在介質中存在著極化現象，即介質中嫌鬥瞎的分子會在電場的作用下發生電偶極矩的形成，從而產生乙個與電場方向相反的電場。這個電場與點電荷產生的電場相互作用，導致介質中的電場強度比真空中的電場強度要小。
根據庫侖定律，點電荷產生的電場強度與點電荷的電量成正比，與距離的平方成反比。因此，在相同的距離下，點電荷在介質中產生芹空的電場強度要比在真空中產生的電場強度小。這也是為什麼介質中的電介質常數大於真空中的電介質常數的原因。
需要注意的是，在介質的邊界處，點電荷產生的電場強度會發生變化，因為介質中的電場會受到介質表面電荷的影響。因此，當點電荷靠近介質表面時，介質中的電場強度可能會比真空中的電場強度大。
5樓：大楊楊楊
點電荷在介質中產生的電場一般來說要比在真空中產生的電場小。這是因為，介質通常液清高具有一定的介電常數，而在介質中的電場會受到極化效應的影響，使得介質中的電荷密度變化，從而減弱了點電荷產生的電場強度。另外，在介質中還可能存在導體、互液等現象，也會對點電荷產生的電場造成影響。
需要注意的是，實際上點電荷在不同介質中產生的電場強度大小並不完全相同，它們取決於具體的介質性正雹質和點電荷與介質之間的距離等因素。此外，在某些特殊情況下（鬧尺例如高真空條件下），點電荷在真空中產生的電場可能大於在介質中產生的電場。
6樓：ok安東尼詹姆斯
點電荷在真空和介質中產生的電場大小是不同的，這是由於介質中存在極化現象所產生的。
在真空中，根據庫侖定律，乙個點電荷所產生的電場強度大小隻與電荷量和距離有關，與周圍介質無關。因此，乙個點電荷在真空中所產生的電場強度大小隻取決於其電荷量和滾鬧距離大猜罩，而不受任何介質影響。
然而，在介質中，電磁波的傳播速度會因為介質折射率的影響而降低，同時介質分子的極化會使得電場在介質中傳播過程中發生偏轉，從而導致點電荷在介質中所產生的電場強度大小受到了周圍介質的影響。
簡單來說，在真兆滾空中電場intensity=e_0=(1/4πε₀q/r^2)，其中ε₀為真空介電常數，q為點電荷的電荷量，r為到點電荷的距離；而在介質中，電場intensity=e=(1/4πε)q/r^2)*(1+χ_e)，其中ε為介質的介電常數，χ_e為介質的電極化率。
因此，一般情況下，介質中電場強度會比真空中電場強度小，但是在一些情況下，如介質的介電常數較大或極化效應較強時，介質中電場強度可能會大於真空中電場強度。
7樓：陸檬楓
在同等條件下，點電荷在真空中產生的電場強度比在介質中產生的電場要大，因為在介質中，由於介質的極化現象，即分子會被電場發帆圓生偏離，極化之後會對電場發生遮蔽作用，降低電場強度。而在真空中坦旦，沒有影響電磁場傳播的影響因素，點電荷能夠在三維空間中擴散，併產生較強的電場。
根據電學公式，空氣中距離點電荷r處的電場強度e的計算式為：e = kq / r^2，其中k為庫侖常數，q為電荷大小，r為距離。如果是在相對介電常數為εr、距離為r的介質中，距離點電荷r處的電場強度e的計算式為：
e =kq / r^2 * r)。
因此，同一點電荷、同一距態信塌離下，真空中的電場強度要高於介質中的電場強度。
8樓：老臉腆腆
點電荷在介質中產生的電場比在真空中要小，因為介質會為電場引入額外的電荷極化。這些極化電荷會產生與源點森森備電荷相反的電荷，從而削弱真空電場的強度春碧。對於一些介質，如氧化鋁等，其介電常數很高，因此，即使在其內部，點電荷此毀也能產生很強的電場。
總體而言，在介質中，點電荷在產生電場時要受到介質的影響，因此電場會相對減弱。
9樓：危蘭蕙
在相同的條件下，點電荷在真空中產生的電場強度大於在介質中產生的電場強度。這是因為介質中存在電介質極化現象，即介質改仔中的分子會在電場的作用下發生極化，形成電偶極子，州殲指從而減弱電場的強度。因此，相同的點電荷在介質中產生的電場強冊配度要比在真空中產生的電場強度小。
10樓：網友
在相同行隱的條件下，點電荷在真空檔巧廳中產生的電場強度大於在介質中產生的電場強度。這是因為介質中存在電介質常數，導致介質中的電場強度比真空中小。具體寬明來說，電介質常數是介質中電場強度和真空中電場強度的比值，該比值大於1，所以介質中的電場強度要比真空中小。
11樓：永不悔龍
您好，在相同的距離下，在介質中產生的電場強度比在真空中強，因為介質中的電場常數比真空中的電場鏈正餘昌常數小，即棚毀悔$\epsilon_r<1$，因此同一點電荷所產生的電場強度$e=\frac\frac$，介質中的$\epsilon< \epsilon0$，所以介質中的電場強度比真空中強。
12樓：網友
對於相同大小的電荷，在相同的距離下，在介質中的電場要比真空中的電場小。這是因為介質會極化併產生額外的電荷來抵亮碧核消或減弱原始電場，從而降低了電場的強度。因此，在介質中的電場強度要比相同條件敬掘下的真空中慧敬的電場強度小。
13樓：專業平臺搭建
在告棗真空襪皮拆環境中電荷磁場大。
在真空中，通過任意閉合曲面 s 的電通量 自由電荷的代數和除以真空電容率 點電荷置於任一閉合曲面內： 由於電場線握嫌的連續性，穿過該曲面的電力 .
14樓：網友
點電荷的場強：
1、禪明旁大小：點電荷產生的槐枯電場，某點場強大小與場源電荷的電荷量成正比，與該點到場源電荷的距離賀橡的平方成反比。
2、方向：場源電荷是正電荷時，某點場強方向沿該點與場源電荷的連線背離場源電荷，場源電荷是負電荷時則相反。
真空中存在空間範圍足夠大的、水平向右的勻強電場。在電場中，若將乙個質量為m、
15樓：網友
嘿嘿，老兄，積為定值時，和才有極小值。
設豎直速度為：vy；水平速度為vx
由題意，小球由靜止釋放。
f=eq=ma,a=eq/m,vx=at=eqt/m
vy=gt,則tan37°=vx/vy=a/g=eq/mg=3/4,即eq=(3/4)mg
以初速度v0豎直向上拋時。
vx=eqt/m=3/4gt
vy=v0-gt
動量）^2=mv^2=(vxm)^2+(vym)^2=m^2[(3/4gt)^2+(v0)^2-2v0gt+(gt)^2]
設f(t)=(3/4gt)^2+(v0)^2-2v0gt+(gt)^2=25/16g^2t^2+(v0)^2-2v0gt
f′(t)=2g^2t-2v0g,所以，當t=v0/g時f(t)有最小值，即mv最小值。
vx=3/4gt=3/4g*vog=3/4vo
vy=v0-g*v0/g=0,則方向向右。
16樓：網友
真空中電場的正電荷受重力和電場力，兩個力的方向上都使小球分別做兩個方向初速度為0的勻加運動，才能使小球的運動方向保持不變。把速度做乙個分解，水平方向分速度vsinθ，豎直vcosθ，接下來可以列方程了：
設電場力為f，則水平方向f=ma1，vsinθ=a1t豎直方向自由落體vcosθ=gt
解方程得f=√3·mg
做熟練後可以直接兩個方向的力之比等於速度之比（因為兩個方向都是初速度為0的勻加），即f/mg=vsinθ/vcosθ=tanθ
歡迎追問~
物理電磁學，為什麼說低真空是導體是等電勢的所以沒有電場？難道說電場都是在非導體中產生的？可那些電場
17樓：網友
注意題目中說的沒有電場，是指導體中沒有電場，並不是說真空中沒有電場。
因為在導體中電荷可以自由移動，淨電荷由於相互的靜電排斥作用，其必須分佈於導體表面，導體中場強為0。否則若場強不為0，那麼導體內部的正負電荷會在場強作用下分離並彙集到表面，通過電荷的這種重新分佈直至使得內場強變為0。靜電場中電勢隨著電場線的方向降低，由於導體內部場強為0，所以導體內部處處等電勢。
對於真空環境而言，不存在類似導體的電荷移動來調整電場分佈，所以電場可以為自由數值，表現「電場自由存在於真空中」。場強數值不為0，那麼在真空中電勢就不必處處相等。
對於非導體電介質，其電荷束縛於分子或原子結構中，在電場下重新分佈的能力介於真空和導體之間。特別是空氣等氣體的分子分佈稀疏，對電場的響應程度與真空類似。
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