1樓：匿名使用者
霍爾元件靈敏度kh一般在0.1~0.5mv/(ma.g)。
霍爾元件的靈敏度與霍爾係數成正比，而與霍爾元件的厚度δ成反比，即kh=rh/δ，單位為mv/(ma.g)，它通常可以表徵霍爾常數。另外，如果是指大學物理裡的霍爾實驗那個靈敏度值，具體還得看實驗用具。
實際的霍爾元件，通常分為開關型或線性型兩種，開關型一般不標稱靈敏度，而線性型通常電流i由內部電路決定。因此，靈敏度的定義發生了變化。
線性型霍爾元件中，從原理上看，由vh=khib變為vh=khb，單位變為mv/g，此時靈敏度一般在1~5mv/g 左右。
擴充套件資料
元件特性：
1、霍爾係數（又稱霍爾常數）rh
在磁場不太強時，霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即uh =rh*i*b/δ，式中的rh稱為霍爾係數，它表示霍爾效應的強弱。 另rh=μ*ρ即霍爾常數等於霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。
2、霍爾靈敏度kh（又稱霍爾乘積靈敏度）
霍爾靈敏度與霍爾係數成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即kh=rh/δ，它通常可以表徵霍爾常數。
3、霍爾額定激勵電流
當霍爾元件自身溫公升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。
4、霍爾最大允許激勵電流
以霍爾元件允許最大溫公升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。
5、霍爾輸入電阻
霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。
6、霍爾輸出電阻
霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸出電阻。
7、霍爾元件的電阻溫度係數
在不施加磁場的條件下，環境溫度每變化1℃時，電阻的相對變化率，用α表示，單位為%/℃。
8、霍爾不等位電勢（又稱霍爾偏移零點）
在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為i的情況下，在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為不等位電勢。
2樓：踏樰
一、霍爾元件靈敏度kh一般在0.1~0.5mv/(ma.
g)。霍爾元件的靈敏度與霍爾係數成正比，而與霍爾元件的厚度δ成反比，即kh=rh/δ，單位為mv/(ma.g)，它通常可以表徵霍爾常數。
另外，如果是指大學物理裡的霍爾實驗那個靈敏度值，具體還得看實驗用具。
二、霍爾元件是應用霍爾效應的半導體。一般用於電機中測定轉子轉速，如錄影機的磁鼓，電腦中的散熱風扇等；是一種基於霍爾效應的磁感測器,已發展成乙個品種多樣的磁感測器產品族，並已得到廣泛的應用。
擴充套件資料：
元件特性：
1、霍爾係數（又稱霍爾常數）rh
在磁場不太強時，霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即uh =rh*i*b/δ，式中的rh稱為霍爾係數，它表示霍爾效應的強弱。 另rh=μ*ρ即霍爾常數等於霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。
2、霍爾靈敏度kh（又稱霍爾乘積靈敏度）
霍爾靈敏度與霍爾係數成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即kh=rh/δ，它通常可以表徵霍爾常數。
3、霍爾額定激勵電流
當霍爾元件自身溫公升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。
4、霍爾最大允許激勵電流
以霍爾元件允許最大溫公升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。
5、霍爾輸入電阻
霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。
6、霍爾輸出電阻
霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸出電阻。
7、霍爾元件的電阻溫度係數
在不施加磁場的條件下，環境溫度每變化1℃時，電阻的相對變化率，用α表示，單位為%/℃。
8、霍爾不等位電勢（又稱霍爾偏移零點）
在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為i的情況下，在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為不等位電勢。
3樓：匿名使用者
你說的應該是線性霍爾的kh，市場上的產品一般是 一點幾 毫伏/高斯 到 五 毫伏/高斯，如果你是大學物理裡的霍爾實驗那個值可能會到十以上，具體看實驗用具
4樓：匿名使用者
一般來說霍爾元件靈敏度的可以視為50。
5樓：狂野豔逍遙本尊
一般來說霍爾元件靈敏度kh為3600
6樓：哈嘍伊爾
正常開關型的霍爾元件靈敏度大概在70-100gz左右
霍爾元件靈敏度kh值代表什麼？
7樓：一心想幫人
很好反映他的霍爾電壓隨工作環境中的要監測的勵磁電流或有它產生的磁感應強度b的變化而改變的程度。這樣就可以通過事先設定一定的u變化範圍來自動控制！！！
物理實驗霍爾元件靈敏度與霍爾係數的關係式中單位是這幾個相
霍爾靈敏度通常可以表徵霍爾常數，其值是由材料的性質和元件的尺寸決定的，它決定了i b一定時活兒電勢差的大小，對於一定的元件它是常量。霍爾係數表示霍爾效應的強弱。在磁場不太強時，霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比，與霍爾片的厚度b成反比，即uh rh i b b，式中的rh稱為霍爾係...
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