1樓：小貓咪在吸奶
採用複雜的量子統計分布函式來討論，其中載流子遵從經典的boltzmann統計分布的半導體就是專非簡併屬半導體。
另，載流子即容易出現量子特性，這時的載流子就是簡併載流子。
以簡併載流子導電為主的半導體就是簡併半導體，否則，若是以非簡併載流子導電為主的半導體就是非簡併半導體。
前兩種情況是可以人為控制的。所以，低摻雜的半導體或者高溫下的半導體，都將是非簡併半導體
在半導體物理中電子的遷移率與哪些因素有關
2樓：匿名使用者
遷移率和單位載流子的電荷量、載流子的平均自由時間和載流子有效質量有關.遷移率=電荷量乘自由時間除有效質量.平均自由時間是指載流子受晶格兩次散射中間的時間,即外電場下自由加速的時間
遷移率的物理意義是什麼？它由什麼因素決定
3樓：楓林狼
遷移率是單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。遷移率代表了載流子導電能力的大小，它和載流子（電子或空穴）濃度決定了半導體的電導率。遷移率與載流子的有效質量和散射概率成反比。
載流子的有效質量與材料有關，不同的半導體中電子有不同的有效質量。如矽中電子的有效質量為0.5m0（m0是自由電子質量），砷化鎵中電子的有效質量為0.
07m0。空穴分重空穴和輕空穴，它們具有與電子不同的有效質量。半導體中載流子在低溫下主要受到缺陷和雜質的散射，高溫下主要受到由原子晶格振動產生的聲子的散射。
散射越強，遷移率越低。
載流子遷移率的介紹
遷移率是指載流子 電子和空穴 在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大 運動得慢，遷移率小。同一種半導體材料中，載流子型別不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高於空穴。如室溫下，輕參雜矽材料中，電子的遷移率為1350cm 2 vs 而空穴的遷移...
有機半導體和無機半導體的異同點，半導體材料的新型有機半導體材料
有機半導體 organic semiconductor 是具有半導體性質的有機材料。單分子，短鍵 低聚物 和有機高聚物，可以是半導體。有機半導體典型載流子是派 鍵中的空穴和電子。在派 鍵結合系統中，電子可通過電子雲重疊，特別是躍遷，隧道和有關機構移動。有二種主要的交疊的有機半導體。這些是有機電荷傳輸...
影響電子遷移率的因素有哪些,中重金屬遷移轉化的因素有哪些
遷移率主要受材料內部的散射因素影響。其中包括聲子散射 雜質散射 缺陷散射等。其中聲子散射在高溫時影響比較大。雜質散射隨摻雜濃度增加而增加。遷移率和載流子濃度的乘積決定了半導體的導電特性，參雜增加載流子濃度增加，電導率增加，但是當參雜過多時將使遷移率減小，從而使電導率減小。因此利用重參雜的方法可以製備...